Advanced Search

Show simple item record

dc.contributor.advisorAlyörük, Mustafa Menderes
dc.contributor.authorBaytar, Hakkı Berat
dc.date.accessioned2019-12-10T12:47:25Z
dc.date.available2019-12-10T12:47:25Z
dc.date.issued2019en_US
dc.date.submitted2019-07-19
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12438/2590
dc.description.abstractGrafen ve hekzagonal boron nitrat yapıları gelecek nesil elektronik cihazlar için umut vaad eden yapılardır. Grafenin h-BN yapısıyla hibritlenmesi her iki malzemenin modifiye edilmiş özelliklerine sahip yeni yapıların elde edilmesine olanak tanımaktadır. Mekanik enerjinin elektrik enerjisine çevrilmesi ya da tersi olarak tanımlanan piezoelektrik özellik de bunlardan biridir. Bu tez çalışmasında h- BN hibridizayonunun grafenin bant yapısı ve piezoelektrik özellikleri üzerine etkisi temel-ilkeler prensibine dayalı hesaplamalar ile gerçekleştirilmiştir. Hesaplama sonuçlarımız göstermiştir ki farklı h-BN katkılaması malzemelerin piezoelektrik ve yasak enerji aralığı değerlerinde kontrol sahibi olmamızı sağlamaktadır. Direkt yasak enerji aralığı açıklığı ve ayarlanabilirlik sağlaması bakımından bu malzemelerin güneş pillerinde silikonun yerini alabilecek olması muhtemeldir. Yaygın olarak kullanılan üç boyutlu piezoelektrik malzemelerle kıyaslanabilir piezoelektrik sabiti değerlerine sahip olan C-BN hibrit yapıları yeni nesil nanoboyutlu elektronik uygulamaları için güçlü adaylardır.en_US
dc.description.abstractGraphene and hexagonal boron nitride (h-BN) are promising two-dimensional materials for next generation electronics. Hybridization of the graphene with h-BN enables new materials with modified properties of graphene and BN for various applications. Piezoelectricity is one of these implementations, which enables to convert mechanical energy to electrical one or vice versa. Ab-initio based calculations are performed to detailed investigation of the h-BN hybridization effect on band gap and piezoelectricity of graphene. Our results show that different concentrations of h-BN doping facilitate the control on band gap and piezoelectricity of graphene. Direct band gap opening and tunability shows that these structures can be substitute silicon in solar cells. Comparable piezoelectric values with conventional bulk structures shows their promising applications in nanoscale electronics.en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherKütahya Dumlupınar Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectBoron-Nitraten_US
dc.subjectGrafenen_US
dc.subjectPiezoelektriken_US
dc.subjectYasak Enerji Aralığıen_US
dc.subjectDft Boron-Nitrideen_US
dc.subjectGrapheneen_US
dc.subjectPiezolectricen_US
dc.subjectBand Gapen_US
dc.subjectDften_US
dc.titleC-BN hibrit yapılarının elektronik ve piezoelektrik özelliklerinin teorik incelenmesien_US
dc.title.alternativeTheoreiıcal investigation of electronic and piezoelectric properties of C-BN hybrid structuresen_US
dc.typemasterThesisen_US
dc.departmentFen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.tubitak113F333
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.contributor.institutionauthorAlyörük, Mustafa Menderes


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record